CBN涂層及其在刀具上的應(yīng)用
發(fā)布日期:2012-08-29 蘭生客服中心 瀏覽:4434
1 引言
性能 | CBN | 金剛石 |
晶體結(jié)構(gòu) | 閃鋅礦 | 金剛石 |
晶格常數(shù)(A°) | 3.615 | 3.567 |
密度(g·cm-3) | 3.48 | 3.515 |
顯微硬度(MPa) | 46042~84337 | >88260 |
彈性模量(GPa) | 700 | 1000 |
熱膨脹系數(shù)(×10-6/°C) | 4.7 | 3.1 |
化學(xué)穩(wěn)定性 | 與Fe 系金屬不反應(yīng),大氣中至1000°C不氧化 | 與Fe 系金屬反應(yīng),大氣中600°C以上氧化 |
熱穩(wěn)定性 | 真空中,溫度至1550°C才發(fā)生從CBN至HBN的相變 | 真空中,溫度超過1300°C,金剛石開始向石墨轉(zhuǎn)變 |
2 CBN涂層的制備方法
- 等離子體增強脈沖激光沉積法
- 圖1為等離子體增強脈沖激光沉積裝置示意圖。該裝置主要包括多波段Nd:YAG 激光器、等離子槍和抽真空系統(tǒng)。等離子槍包括一個熱電子發(fā)射陰極(熱陰極,由鎢絲制作的燈絲構(gòu)成)和一個陽極;固體激光器產(chǎn)生的高能激光作用在靶材(HBN)上,溫度可達(dá)10000:,靶材在高溫下熔化和氣化,產(chǎn)生B 蒸氣;熱陰極發(fā)射的熱電子激活反應(yīng)氣體N2產(chǎn)生等離子體N+,它與B蒸氣反應(yīng),在基片上沉積BN薄膜;鶚O偏壓的作用是輔助沉積,基片距靶材5cm,在沉積過程中基片不停旋轉(zhuǎn)。
- 等離子體增強脈沖激光沉積裝置沉積CBN的典型條件為:R6入射功率10~150W,基極負(fù)偏壓100~200V,激光能量密度25J/cm2,沉積時間5~15min。
- 熱絲輔助射頻等離子體CVD法
- 圖2熱絲輔助射頻等離子體CVD裝置示意圖。射頻電源產(chǎn)生的高頻電磁振蕩激發(fā)反應(yīng)氣體產(chǎn)生等離子體,置于基片上方的熱絲一方面對基片和反應(yīng)氣體加熱以提供更多熱能,另一方面熱絲發(fā)射的熱電子進(jìn)一步增強等離子體,以提高反應(yīng)氣體離解率;基片溫度通過調(diào)節(jié)燈絲電壓進(jìn)行控制。反應(yīng)氣體為B2H6與NH3的混合氣體,混合前先用高純度H2分別稀釋至1%~5%,再按NH3:B2H6=3:1 的體積比混合并通過反應(yīng)室。制備前先將反應(yīng)室抽至小于1Pa的基礎(chǔ)真空度,并用H2清洗幾分鐘。
- 熱絲輔助射頻等離子體CVD法沉積CBN的典型條件為:熱絲溫度1800~2200°C,基片溫度800~1000°C,熱絲到基片的距離5~15mm,射頻功率100~200W。
圖1 等離子體增強脈沖激光沉積裝置 |
圖2 熱絲輔助射頻等離子體CVD裝置 |
3 應(yīng)用現(xiàn)狀及發(fā)展前景
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